5016 · 3月決算

JX金属

みんなの目標利回り(トリム平均)
4.6%
上下10%ずつを除いた平均
業種非鉄金属
市場プライム
時価総額2.69兆円2026年10月23日時点
登録者31人
中央50%の範囲1.4%〜10.0%
直近30日に目標へ到達0%0人(旧アプリ)
一度でも到達した人29%旧アプリ
権利確定月(推定)3月・9月

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事業内容

有価証券報告書の「事業の内容」をAIが要約

当社グループは、半導体や情報通信分野に不可欠な銅やレアメタルを原料とする先端材料の開発・製造・販売をグローバルに行っています。資源開発から製錬、リサイクルまでの一貫したサプライチェーンを強みとし、半導体用スパッタリングターゲットや圧延銅箔などを安定的に供給することで社会の発展に貢献しています。

主な事業半導体材料セグメント情報通信材料セグメント基礎材料セグメント
有価証券報告書の原文

3 【事業の内容】当社グループは、半導体・情報通信分野に欠かせない銅やレアメタルを原料とする先端材料の開発・製造・販売を主な内容としてグローバルな事業活動を行っており、半導体用スパッタリングターゲットや圧延銅箔を主力製品としています。これらに加えて、銅やレアメタルの資源開発や、製錬・リサイクル事業を手掛けており、上流から下流までをつなぐ強固なサプライチェーンを有することにより、安定的に先端材料をマーケットに供給し、持続可能な経済・社会の発展に貢献しています。 当社グループは、半導体材料セグメント、情報通信材料セグメント、基礎材料セグメントの3つの報告セグメントにて構成されています。成長戦略のコアである半導体材料セグメントと情報通信材料セグメントをフォーカス事業と位置づけ、先端材料分野での技術の差別化や市場創造を通じて、市場成長以上の利益成長を目指しています。一方、基礎材料セグメントをベース事業と位置づけ、銅・レアメタルの安定供給を通じてフォーカス事業を支える役割を担っています。各報告セグメントの主要製品、主要会社は以下のとおりです。区分セグメント事業部・事業会社主要製品主要な会社フォーカス事業半導体材料薄膜材料事業部半導体用スパッタリングターゲット、高純度金属、表面処理剤、化合物半導体・結晶材料当社、JX Advanced Metals USA, Inc.、JX Advanced Metals Singapore Pte.Ltd.、JX Advanced Metals Korea Co., Ltd.、JX金属商事㈱、台湾日鉱金属股份有限公司 タンタル・ニオブ事業部タンタル・ニオブ金属粉末、タンタル・ニオブ酸化物粉末、塩化物・化合物当社、TANIOBIS GmbH、東京電解㈱ 情報通信材料機能材料事業部圧延銅箔、チタン銅、コルソン合金当社、JX METALS PHILIPPINES, Inc.、日鉱金属(蘇州)有限公司、JX金属商事㈱、台湾日鉱金属股份有限公司 東邦チタニウム超微粉ニッケル、高純度酸化チタン、触媒製品、スポンジチタン、チタンインゴット東邦チタニウム㈱ タツタ電線電磁波シールドフィルム、導電性ペースト、ボンディングワイヤ、漏水検知システム、医療機器部材、インフラ・産業機器用電線タツタ電線㈱ベース事業基礎材料資源事業部銅精鉱、電気銅、モリブデン精鉱、含金珪酸鉱、タンタル精鉱当社、SCM Minera Lumina Copper Chile、Minera Los Pelambres、Minera Escondida 金属・リサイクル事業部電気銅、型銅、貴金属、硫酸当社、JX金属製錬㈱、パンパシフィック・カッパー㈱、JX金属サーキュラーソリューションズ㈱、eCycle Solutions Inc.、台湾日鉱金属股份有限公司 以下の事業区分は「第5 経理の状況 1 連結財務諸表等 注記7.セグメント情報」に掲げるセグメントの区分と同一であり、各事業を構成する主要な関係会社の状況については、「第1 企業の概況 4 関係会社の状況」に記載しています。 (1) 半導体材料セグメント(薄膜材料事業部)高純度化や組成・組織制御などの当社のコア技術を駆使し、半導体や磁性材料向けのスパッタリングターゲットをはじめ、各種高機能デバイス、最先端IT機器、医療機器、電気自動車に用いられる製品をグローバルに展開しています。中でも、ロジックやメモリに用いられる半導体用スパッタリングターゲットが主力製品の一つであり、世界的にも高い評価を得ています。当社は様々な素材の半導体用スパッタリングターゲットを取り扱っており、半導体の主要配線層に用いられる銅や銅合金、そのバリア層に用いられるタンタルに加えて、半導体の回路形成やトランジスタ部分等に用いられるチタン、コバルト及びタングステンの製品でグローバル市場におけるトップクラスの地位を確立しています。半導体はシリコンウエハ上に数百回以上にわたり回路を形成して製造されますが、半導体用スパッタリングターゲットは回路形成に必要となる素材の層をつくる工程(成膜工程)の材料として用いられます。成膜に当たっては、真空状態の装置内でスパッタリングターゲットにアルゴンイオンを衝突させ、放出したターゲット原子を基板(シリコンウエハ等)上に付着させることによって薄膜を形成します。半導体が目的とする機能を発揮するためには様々な種類の高純度素材による回路形成が必要となりますが、当社の強みである高純度化技術や、多種多様な元素・合金を取り扱う技術により、様々な材料ニーズを満たしたスパッタリングターゲットの製造が可能です。 ① 半導体用スパッタリングターゲット製造における当社のコア技術電解精製にて製造された高純度の電気銅を溶解してインゴットにし、そのインゴットを適切な幅に切断したのち、鍛造・圧延を施して必要な直径を持った円盤状の板(ターゲット材)に加工します。その後、熱処理によって結晶組織を均一化したターゲット材を、スパッタリング装置へ固定する役割を果たすバッキングプレートと接合(ボンディング)し、顧客から求められる特性に応じて表面の粗化から鏡面仕上げ等の加工を行い、品質や機能の分析評価を経て製品化されます。この一連の加工の中で、以下に記載する当社の複数のコア技術が活かされており、多数の金属品種において高品質な製品の安定的な供給を実現しています。 ・高純度化技術電解精製工程において、創業以来培ってきた高純度化技術により9N(99.9999999%)の銅の製造を実現しています。当技術により高純度銅スパッタリングターゲットに要求される6Nの銅を安定的に生産しています。・組成・組織制御技術ターゲット材の結晶組織がスパッタリングに適した大きさや向きとなるように制御・管理しています。これにより、成膜時の組成・組織が均一となり半導体の欠陥を引き起こす不純物であるパーティクル(発塵)の発生を抑えることに寄与しています。・表面制御技術バッキングプレートとターゲット材との接合状態が不均一な場合、スパッタリング時にターゲット材の表面温度が不均一になり様々な障害が生じます。そこで、ろう材による接合や異種材料間の拡散接合など、それぞれの材料に適した技術により、均一で強固な接合を実現しています。また、異種材料接合技術の応用により、銅箔と樹脂の複合材など、新しい材料の開発を進めています。また、スパッタリングターゲットなどの材料は、その組成や純度だけでなく、表面状態も顧客のプロセスにおける製造効率に影響します。そのため、出荷前の最終工程において、エッチングによる表面の粗化から鏡面仕上げまで、求められる特性に応じた最終加工を行っています。・分析評価技術当社で製造したスパッタリングターゲットは、材料として顧客のスパッタリング装置に組み込まれて使用されます。当社は自前のスパッタリング装置を所有しており、顧客が使用する条件下で評価を行うことによって最終形態で期待される機能や特性の実現、性能改善を図っています。 ② 半導体製造装置メーカーとの強固な関係当社は半導体製造装置メーカーから受ける素材提案を通じて品質技術情報を獲得し、その情報を基に半導体製造装置メーカーに対して材料提案や先行開発を継続して実施してきました。長年にわたるこれらの活動の結果、当社製品の多くが半導体製造装置メーカーから標準材料として指定されており、それにより当半導体製造装置メーカーの製造装置を使用する半導体メーカーからの安定的な受注獲得につながっていると考えています。事実として、当社は大手半導体メーカーと長年にわたり取引を継続してきた実績を有しています。加えて、高品質な製品の安定的供給が顧客から高く評価されています。 ③ 半導体メーカー拠点との地理的優位性を有する生産体制当社は、半導体の世界的生産地である米国、台湾、韓国において、スパッタリングターゲット製造の下工程(注)である機械加工拠点を有し、一定の在庫を保有することで、安定的かつ素早い製品供給体制を構築しています。また、米国・台湾においては技術サービス拠点としての役割も担い、顧客への迅速な品質対応も行っています。当社の高い技術レベルと各拠点での速やかな技術対応を組み合わせることにより、高い顧客満足度を実現しています。 (注) 下工程は、半導体用スパッタリングターゲット製造プロセスにおける加工・ボンディング工程を指します。 (タンタル・ニオブ事業部)当社グループのTANIOBISは、世界各地に製造・販売拠点を有する世界有数のタンタルとニオブの材料メーカーであり、主要製品は半導体用スパッタリングターゲットやコンデンサ用のタンタル粉・ニオブ粉、SAWデバイスや光学レンズ用のタンタル酸化物・ニオブ酸化物、半導体用のタンタルやニオブ等の塩化物、その他の高機能粉末材料です。半導体用スパッタリングターゲット用のタンタル粉については、当社グループの東京電解株式会社(以下、「東京電解」という。)にてインゴット状に加工のうえ当社薄膜材料事業部に供給し、スパッタリングターゲットの材料として使用されています。また、当社グループは、ブラジルのMibra鉱山におけるタンタル原料生産事業に出資しており、安全や人権に配慮した倫理的かつ持続可能な「責任ある調達」を推進するとともに、TANIOBISの年間調達量の一定割合のタンタル鉱石を安定的に調達する体制を構築しています。これらの取り組みによって、当社グループとして半導体用タンタルスパッタリングターゲットを上流から下流まで一気通貫で安定的に供給する体制を確立し…

出典:有価証券報告書(2026年6月24日提出・EDINET)。要約はAIが原文から自動で作成したもので、誤りを含む場合があります。

予想配当利回り

2026年10月23日の終値で計算
予想配当利回り0.7% みんなの目標まで あと 3.9pt
1株あたり予想配当(年間)20円2027年3月期 · 2026年8月6日開示
終値2,830円
PER / PBR18.9倍 / 4.18倍

予想配当利回りとみんなの目標(5年)

予想配当利回り(日次)みんなの目標 4.6%中央50%
0.0%1.0%2.0%3.0%4.0%5.0%6.0%7.0%8.0%9.0%10.0%11.0%2026

予想配当は会社が決算短信などで出した予想です。発表があった日から、その日の終値で反映しています。株式分割の前の期間は、その時点の株数で計算しています。みんなの目標は旧配当ゴーの登録(2026年6月17日まで)の値で、日ごとの推移は新サービスでの登録が始まってから記録します。

配当と業績の推移

決算期ごと · 1株あたりの値は最新の株数にそろえています
決算期1株配当増減配当性向DOE売上高営業利益純利益
2025/3月期 109.55円 - 149.0% 16.5% 7,149億 1,125億 683億
2026/3月期 31円 減配 27.4% 4.0% 8,846億 1,750億 1,046億
2027/3月期 予想 20円 減配 - 2.6% 1.03兆 2,320億 1,410億

DOEは「1株配当 ÷ 期末の1株純資産」で計算しています。配当性向は会社の開示値です。

みんなの目標利回り

登録者 31人の分布 · 0.1%刻み
トリム平均 4.6%

グラフの範囲外:10.0%超 6人

登録時の状態

旧アプリでの選択
待ち 45% なし 55%

最後に目標へ到達した月

各登録の最新の到達通知を月ごとに数えたもの
到達が最も集中したのは2025年4月(4人)です。 一度でも到達した人は9人。オレンジの棒はデータ最終月(2026年6月17日まで)です。

このあと追加する欄

準備中
  • 自己株式の取得・消却
  • PER・PBRの推移(日次のグラフ)

みんなの目標利回りは、旧「配当ゴー」アプリの登録(2026年6月17日まで)と配当ゴーでの登録を合わせて匿名で集計したものです(合計5人以上の銘柄のみ表示)。「直近30日」は2026年5月19日〜2026年6月17日です。株価・予想配当・業績はJ-Quants(日本取引所グループ)のデータをもとに計算しています。銘柄名・業種・決算月は金融庁のEDINETコードリストとJ-Quantsの銘柄情報によります。権利確定月は決算月から推定しています。